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Product laser

產(chǎn)品中心
晶圓激光隱切設(shè)備
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
該設(shè)備可通過(guò)精密控制及激光內(nèi)部改質(zhì)技術(shù)，使得晶圓切割后裂片擴(kuò)膜成單顆小芯片，以便實(shí)現(xiàn)后續(xù)的晶圓封測(cè)。
產(chǎn)品特點(diǎn)

兼容性好，可同時(shí)切割4~12寸及不同厚度的晶圓

支持藍(lán)寶石、硅、碳化硅、鉭酸鋰等襯底材質(zhì)

良好的定位精度及重復(fù)定位精度

切割質(zhì)量高，直線(xiàn)度好，無(wú)崩邊、裂痕

切割區(qū)域影響小，切割道≤20μm

應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體芯片封裝
技術(shù)指標(biāo)
設(shè)備型號(hào) DR-S-WLNC100 DR-S-WLNC300
設(shè)備尺寸 1,750mm(W) x 2,250mm(D) x 2,250mm(H)
適用晶圓尺寸 6寸及以下 8寸、12寸
適用晶圓厚度 60μm to 400μm
平臺(tái)精度 重復(fù)定位精度≤ ±1μm；定位精度<±3μm；
直線(xiàn)度 ≤ 5 μm
切割路徑寬度 ≤ 20 μm
TTV ≤ 10 μm ≤ 15 μm
應(yīng)用案例